本文將(jiāng)針對(duì)TFT LCD的整體系統面(miàn)，也就是對(duì)其驅動原理來做介紹，而其驅動原理仍然因爲一些架構上差異的關系而有所不同。首先將(jiāng)介紹由于Cs (storage capacitor) 儲存電容架構不同，所形成(chéng)不同驅動系統架構的原理。

一般最常見的儲存電容架構有兩(liǎng)種(zhǒng)，分别是Cs on gate與Cs on common這(zhè)兩(liǎng)種(zhǒng)。顧名思義，兩(liǎng)者的主要差别在于儲存電容是利用gate走線或是common走線來完成(chéng)。在上一期文章中曾提到，儲存電容主要是爲了讓充好(hǎo)電的電壓能(néng)保持到下一次更新畫面(miàn)的時候之用，所以必須像在CMOS的制程之中，利用不同層的走線來形成(chéng)平行闆電容。而在TFT LCD的制程中，則是利用顯示電極與gate走線或common走線所形成(chéng)的平行闆電容，來制作出儲存電容Cs。

圖1就是這(zhè)兩(liǎng)種(zhǒng)儲存電容架構，圖中可以很明顯地知道(dào)，Cs on gate由于不必像Cs on common需要增加一條額外的common走線，所以其開(kāi)口率(Aperture ratio)比較大。而開(kāi)口率的大小是影響面(miàn)闆的亮度與設計的重要因素，所以現今面(miàn)闆的設計大多使用Cs on gate的方式。但是由于Cs on gate方式的儲存電容是由下一條的gate走線與顯示電極之間形成(chéng)的(請見圖2中Cs on gate與Cs on common的等效電路)，

而gate走線就是接到每一個TFT的gate端的走線，主要是作爲gate driver送出信号來打開(kāi)TFT，好(hǎo)讓TFT對(duì)顯示電極作充放電的動作。所以當下一條gate走線送出電壓要打開(kāi)下一個TFT時，便會影響到儲存電容上儲存電壓的大小。不過(guò)由于下一條gate走線打開(kāi)到關閉的時間很短(以1024 x 768分辨率，60Hz更新頻率的面(miàn)闆來說。一條gate走線打開(kāi)的時間約爲20μs，而顯示畫面(miàn)更新的時間約爲16ms，所以相較下影響有限)，所以當下一條gate走線關閉，回複到原先的電壓，則Cs儲存電容的電壓，也會随之恢複到正常。這(zhè)也是爲什麼(me)大多數的儲存電容設計都(dōu)是采用Cs on gate的方式的原因。